Справочник предприятий РЭП

Перспективы увеличения плотности транзисторов

Нанопроводники в двух- и трехмерной компоновке, по мнению Intel, позволят в будущем увеличить плотность размещения транзисторов в 50 раз. Многоярусная компоновка Foveros с разнородными компонентами будет использована в 10-нм мобильных процессорах Lakefield, которые выйдут в ближайшее время.

Схожие решения планируют использовать и другие лидеры полупроводниковой промышленности. Так, южнокорейский Samsung планирует применить компоновку в рамках технологии создания канала, со всех сторон окруженного затвором, GAAFET, а также при освоении стандартов 3- и 4-нм.

Источник: 3dnews.ru